nio在γ-al2o3及tio2/γ-al2o3载体上的表面存在状态

本文采用lrs,xrd,uv-drs,tpr考查了γ-al2o3上tio2的分散容量,分散态ti4+离子的配位环境;nio在经tio2改性后的γ-al2o3载体上的分散容量。结果表明:(1)tio2在γ-al2o3表面的分散容量约为0.62mmol/100m2γ-al2o3,当tio2含量低于该分散容量时ti4+在γ-al2o3载体表面以嵌入形式呈离子态分布;而含量高于分散容量时还有结晶态的tio2出现。(2)nio在tio2/γ-al2o3载体表面的分散容量约为1.1mmol/100m2γ-al2o3,比之在γ-al2o3载体表面的分散容量(1.5mmol/100m2γ-al2o3)要低,这是由于γ-al2o3表面上部分空位被ti4+离子占据。用表面相互作用的“嵌入模型”(incorporationmodel)讨论了这些结果。