计算机硬盘基片cmp中表面膜特性的分析研究

目前，普遍采用化学机械抛光(chemical-mechanicalpolishing，cmp)技术对计算机硬盘基片(盘片)表面进行原子级平整。cmp加工中，盘片表面膜及其特性对cmp过程及cmp性能具有关键作用。本文分别采用俄歇能谱(aes)、x射线光电子能谱(xps)、扫描电镜(sem)、纳米硬度计、电化学极化法等分析手段对盘片表面物理、化学及机械特性进行了研究，发现盘片cmp后表面发生了氧化，氧化膜在盘片的表层,厚度在纳米量级，氧化产物为ni(oh)2；氧化膜为较软的、疏松的、粗糙的多孔结构；氧化膜的存在加快了盘片表面的腐蚀磨损。结合盘片cmp试验结果，推测盘片的cmp机理为盘片表面氧化生成机械强度较低的ni(oh)2氧化膜及随后氧化膜的机械和化学去除，二者的不断循环实现表面的全局平面化。