tio2纳米管阵列薄膜制备及生长机理的研究

本论文采用阳极氧化的方法，在nh4hf2+nh4h2po4的混合水溶液中于室温下以金属钛为基体原位合成氧化钛纳米管阵列薄膜。讨论了电解液成分、外加电压、溶液的ph值对氧化钛纳米管阵列薄膜微观结构及形貌的影响，并建立了阳极氧化钛纳米管阵列薄膜的生长模型。氧化钛纳米管的结构与外加电压有很大的关系，只有电压在5～35v范围内才能制备出二氧化钛纳米管阵列薄膜，其管径随着电压的升高而增加，且管径范围为30～160nm。而薄膜的厚度与电解液有关，通过控制电解液的成分及ph值，可获得厚度为6.5μm的氧化钛纳米管阵列薄膜。