cuins2：两步电沉积制备及性能

采用恒电位沉积法制备铜铟合金预制膜，并在管式炉中通过固态源蒸发硫化预制膜得到cuins2薄膜。通过扫描电镜(sem)、能量色散谱仪(eds)和x射线衍射仪(xrd)对cuins2薄膜的表面形貌、截面厚度、成分组成和薄膜的组织结构进行了研究，并利用紫外可见光吸收谱仪(uv-vis)研究了不同硫化温度对cuins2薄膜的形貌及其光学吸收性质的影响。结果表明：不同的退火温度能够影响cuins2薄膜的表面形貌以及带隙的大小，从而影响其光学吸收特性。