电容耦合氧等离子体处理ito基片对oled的影响

在不同条件下采用电容耦合氧等离子体处理用于有机电致发光（oled）的ito基片，使用接触电势法测量了基片表面功函数的改变。研究发现，氧等离子体处理可以有效地提高ito表面的功函数。x射线光电子能谱的测量揭示了其本质：氧等离子体处理可以提高表面氧原子的含量，同时降低ito表面锡/铟原子的比例，由此导致了ito表面功函数的提高。高功函数的ito可降低空穴由ito向oled空穴传输层中注入空穴的势垒，从而提高oled器件的性能。进一步的基于联苯二胺衍生物npb/8羟基喹啉铝（alq3）的标准器件的研究证明了这一点。研究同时发现，在相同的真空和氧压条件下，保持处理时间不变，随着射频激发功率的升高，ito表面功函数会逐渐降低。这个功函数的降低，使得oled器件的驱动电压升高且电流效率减小。因此使用电容耦合氧等离子体处理的ito来制备oled器件，需要在优化的条件下进行，以达最佳效果。在本实验系统下处理条件为射频功率100w、时间25s。