胶体金量子点浮置栅mos结构的制备及其cv特性

通过单相相转移法合成了胶体金纳米粒子，利用异种电荷之间的静电相互吸引作用，采用自组装技术制备了二维有序纳米金阵列。在此基础上，制备了在氧化层中内嵌纳米金颗粒的金属氧化层半导体（mos）结构，并研究了其cv特性。扫描电镜显示金粒子的直径在6~7nm左右，cv测量结果显示胶体金量子点浮置栅mos结构存在3v左右的平带电压偏移。通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅mos结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景。