微测辐射热计阵列结构的制备

为了研究和优化二氧化钒（vo2）微测辐射热计的制备工艺，采用微电子机械系统(mems)体硅工艺制备了vo2微测辐射热计，经过研究和改进制备工艺，制得的微测辐射热计结构稳定，成品率高；经测试及计算，其响应率可达34.3kv/w，探测率为1.2×108cm？hz1/2/w，响应时间约为65.3ms。此器件性能达到国内外同类器件水平。