热退火对溅射法al-sn共掺zno薄膜光电性能的影响

利用射频磁控溅射方法，采用azo靶和sn靶共溅射的方法在钠钙玻璃衬底上制备了al与sn共掺杂的zno(atzo)薄膜样品，再对样品进行300，350，370，400，500℃5种不同温度和1，2，4h3种不同时间的退火处理。采用x射线衍射仪(x-raydiffraction,xrd)和扫描电子显微镜(scanningelectronmicroscope,sem)对其相结构及形貌进行了表征和分析。结果表明，所制备的atzo薄膜都是六角纤锌矿结构，在（002）方向上表现出择优生长且表面都较为均匀。采用uvvis分光光度计测试薄膜样品的透过率，结果显示370℃退火2h的样品在400~760nm处有87.09%的最高平均透过率，对应的光学带隙为3.40ev；同时，此样品具有最低的电阻率为4.22×10-2ω·cm和最高的载流子浓度和迁移率，分别为6.44×1020cm-3和4.30cm2/(v·s)。