博莱霉素在ni/gc离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

目的：研究博莱霉素在ni/gc离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用。方法：博莱霉素在0.1mol.l-1hac-naac(ph4.62)缓冲溶液中，用离子注入镍的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定。结果：得到一良好的还原峰，峰电位ep=-1.16v(vs.sce)。峰电流与博莱霉素浓度在1.0×10-6～1.4×10-5mol.l-1范围内成线性关系。检出限为8.0×10-7mol.l-1。并用于尿样的测定，得到满意的结果。用线性扫描和循环伏安法研究了体系的电化学行为。用奥歇电子能谱(aes)和光电子能谱(xps)等表面分析技术检测了注入电极表面的元素组成、价态和深度分布，对离子注入电极的催化性质进行了探讨。结论：体系属两电子还原的不可逆过程。