as(v)在tio2表面的吸附机理

用延展x射线吸收精细结构(exafs)光谱和密度泛函理论(dft)研究了as(v)-tio2体系的吸附机理.离子强度变化对as(v)-tio2体系吸附无显著影响,表明吸附后形成了内层络合物.exafs结果表明,as(v)原子主要通过—aso4上的o原子结合到tio2表面上,平均as-o原子间距(r)在吸附前后无明显变化,保持在(0.169±0.001)nm.as-ti层的exafs分析结果与dft计算的吸附构型的as-ti原子间距对照表明,体系存在两种主要亚稳平衡吸附(mea)结构,即对应于r1=(0.321±0.002)nm的双角(dc)强吸附构型和r2=(0.360±0.002)nm的单角(sc)弱吸附构型.而且随着吸附量由9.79mg·g-1增加至28.0mg·g-1,吸附样品中双角构型配位数与单角构型配位数的比值(cn1/cn2)从3.3降低到1.6,说明双角亚稳平衡吸附结构在低覆盖度时占优势,而在高表面覆盖度时单角亚稳平衡吸附结构占优势,即在表面覆盖度较大时,as(v)在tio2表面上倾向于形成单角构型.