柔性光电器件发光层用zno微纳阵列/聚合物复合材料

采用简单的低温(温度未超过100°c)溶液法在具有较好柔韧度的基于聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)衬底的铟锡氧化物(ito)导电膜(pet/ito)上成功制备了聚丙烯酰胺(pam)修饰的zno微纳阵列.用x射线衍射(xrd)仪和扫描电子显微镜(sem)对zno微纳阵列的晶体结构和表面形貌进行了表征,结果表明zno阵列的平均直径为150nm,长度为3μm,端面具有六边形结构,沿[0001]方向择优生长,较好地垂直在pet/ito上;探讨了zno微纳阵列在pam存在下的形成机理以及所制备的zno阵列在柔性光电器件方面的应用;zno微纳阵列的光致发光(pl)性能表明,在没有pam的存在下,具有蓝光(457nm)和绿光(530nm)缺陷发射峰,这可能是电子分别从扩展态锌间隙(zni)到价带和从导带到锌位氧(ozn)的跃迁引起的,而在pam存在下所制备的pam/zno阵列仅仅在400nm处有一个发射峰,这是由于电子从zni到价带的跃迁引起的.基于pam/zno的柔性器件具有较好的二极管特性,表明其在柔性光电器件方面的应用极具潜力.