zr-co薄膜中的氦行为

zr-co是迄今为止研究较多、性能较好的储氚材料,材料中的氚会自发衰变生成3he.随着材料中3he的积累,氦会逐渐聚集成泡,这将对材料的储氚性能造成严重的破坏.温度和氦浓度将显著影响材料中氦的行为.本文采用4he模拟氚衰变生成的3he在材料中的行为,用磁控溅射的方法制备了不同氦含量的zr-co薄膜,并用卢瑟福背散射(rbs)方法分析薄膜的元素组成及厚度,弹性反冲探测(erd)方法分析样品的氦含量及深度分布.分别采用恒温退火和动态热解析方法研究了4he在zr-co样品中的滞留和存在状态,并用x射线衍射(xrd)方法分析其微观结构.