欠电位沉积研究现状——ii.欠电位沉积的研究方法及其应用

总结了主要的欠电位沉积(upd)的原位研究方法,包括电化学研究方法(循环伏安(cv)、计时电流(chr)和电化学阻抗谱(eis))、界面分析方法(电化学石英晶体微天平(eqcm)和电化学扫描隧道显微镜/电化学原子力显微镜(ecstm/ecafm))及x射线分析技术(x射线吸收谱(xas)和表面x射线散射(sxs)).根据这些研究方法,总结和探讨了许多体系的upd特征,分析了upd微观特征与宏观的测试结果的对应关系及其原理.此外,探讨了基于这些研究方法得出的关于upd的重要结论,并对比分析了上述研究方法的优缺点.在upd应用领域的研究方面,主要从四个方面进行了概述,涉及功能材料电合成、电分析应用、电化学原子层外延(ecale)和表征贵金属(或纳米)材料电化学活性面积(ecsa),并简析了上述应用研究中涉及的关于upd过程的原理.最后,总结了upd研究方法和应用研究的现状并展望了其未来发展趋势.