纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其电化学性能

为了改善分子印迹传感器的灵敏度,在四丁基高氯酸铵的支持电解质溶液中,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂在纳米氧化铜修饰过的玻碳电极上电聚合了一种苯巴比妥(pb)识别性能的分子印迹传感膜.采用循环伏安(cv)法、差分脉冲伏安(dpv)法及交流阻抗(eis)法对这种纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能进行了研究,结果显示纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能完全不同.x射线衍射(xrd)证实纳米粒子为氧化铜.采用扫描电镜(sem)对纳米氧化铜修饰过的印迹传感器的形貌进行分析,发现纳米氧化铜分散在电极表面,改善了修饰印迹传感器的识别点.差分脉冲伏安法(dpv)表明苯巴比妥的浓度在1.0×10-8-1.8×10-4mol·l-1范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数r=0.9994);检出限2.3×10-9mol·l-1(信噪比(s/n)=3).研究结果表明纳米氧化铜修饰过的印迹传感器具有较高灵敏度及选择性.此印迹传感器能用于实际样品中苯巴比妥的检测,加标回收率在95.0%-102.5%.