rup2p表面敏化tio2基复合薄膜光致界面电荷转移

采用离子束溅射技术制备出tio2/ito、zn2+掺杂的tio2(tio2-zn)/ito和tio2/zno/ito薄膜,采用表面敏化技术和旋转涂膜法,制备出(1,10-邻菲咯啉)2-2-(2-吡啶基)苯咪唑钌混配配合物(rup2p)表面敏化的tio2基复合薄膜rup2p/tio2/ito、rup2p/tio2-zn/ito和rup2p/tio2/zno/ito.表面光电压谱(sps)结果发现:敏化后的tio2基薄膜在可见区(400-600nm)产生sps响应;tio2基薄膜的能带结构不同,其在400-600nm和350nm处的sps响应的峰高比不同.利用电场诱导表面光电压谱(efisps),测定tio2基薄膜和表面敏化tio2基复合薄膜各种物理参数,并确定其能带结构.分析可知,表面敏化tio2基复合薄膜在400-600nm的sps响应峰主要源于rup2p分子的中心离子ru4d能级到配体1,10-邻菲咯啉π*1和2-(2-吡啶基)苯咪唑π*2能级的跃迁;tio2中zn2+掺杂能级有利于ru4d能级到配体π*1和π*2跃迁的光生电子向tio2-zn导带的注入;tio2/zno异质结构有利于光生电子向ito表面的转移,从而导致可见光(400-600nm)sps响应增强以及光电转换效率的提高.