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物理化学学报 2009
最小二乘法计算苯、噻吩和正辛烷在nay上程序升温脱附活化能Abstract: 采用程序升温脱附(tpd)技术测定了苯、噻吩和正辛烷在nay上以不同升温速率升温时的tpd谱图.利用tpd谱图的峰形和其微分曲线判断了程序升温脱附过程中的脱附级数.提出了一种利用最小二乘法计算吸附剂/催化剂的脱附活化能及其动力学参数的方法.以这些tpd谱图为基础,分别采用传统tpd计算模型、最小二乘法以及一阶微分曲线法计算了苯、噻吩和正辛烷在nay上的脱附活化能和动力学参数.结果表明,最小二乘法对在不同线性升温速率时的程序升温脱附活化能的计算结果是一致的.
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