三聚苯撑乙烯/蒙脱土发光光谱的时间依赖性

用原位插层法制备了插层型的三聚苯撑乙烯/蒙脱土(tpv/mmt)纳米复合材料.研究了新制备及在室温储存180天后的tpv/mmt纳米复合材料的荧光光谱及蒙脱土层间距的变化情况.荧光光谱分析表明,储存180天后,tpv/mmt纳米复合材料的最大发射峰由494nm蓝移到438nm,半峰宽由77nm增加到104nm.x射线衍射结果表明,与新制备的复合材料相比,蒙脱土的层间距由1.52nm减小到1.22nm.红外光谱分析表明,室温储存180天后的三聚苯撑乙烯苯环的某些特征峰由1598和1554cm-1分别红移到1506和1462cm-1.依据相关实验和理论数据探讨了储存180天前后tpv在蒙脱土中聚集态结构的变化方式.