蒽类衍生物的电荷传输性质

以具有较高迁移率的对称取代类蒽的衍生物{2,6-二[2-(4-戊基苯基)乙烯基]蒽,dppvant;2,6-二-噻吩蒽,dtant;2,6-二[2-己基噻吩]蒽,dhtant}为研究对象,采用密度泛函理论的b3lyp方法,在6-31g(d)的基组水平上研究了三种蒽类衍生物的分子结构、电子结构、重组能和电荷传输积分,采用einstein关系式计算了室温下的载流子迁移率,并与蒽的相关计算结果进行了比较.dppvant是较好的空穴传输材料,其空穴迁移率为0.49cm2·v-1·s-1;dhtant有利于电子传输,其电子迁移率为0.12cm2·v-1·s-1;而dtant是一种较好的双极性材料,其空穴迁移率和电子迁移率分别为0.069和0.060cm2·v-1·s-1.计算得到的迁移率与实验结果处于同一数量级.三种蒽类衍生物的电子重组能与蒽的相近,而空穴重组能均大于蒽的空穴重组能,大小顺序为蒽