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物理化学学报 2010
复合半导体光催化剂p-coo/n-cds的制备、表征及光催化性能Keywords: 光催化,p-n复合半导体,氧化钴,硫化镉,表征 Abstract: 以醋酸镉、十二硫醇、硬脂酸和醋酸钴等为原料,采用新方法制备了cds和一系列p-coo/n-cds复合半导体光催化剂.用x射线衍射(xrd)、扫描电子显微镜(sem)、透射电子显微镜(tem)、n2吸附-脱附和紫外-可见漫反射光谱(uv-visdrs)等对产物进行了表征.结果表明,p-coo/n-cds复合半导体中,coo粒子紧密结合在cds颗粒上,cds的颗粒粒径在100nm左右,为六方纤锌矿晶型,coo的颗粒粒径在10nm左右,颗粒粒径分布均匀.p-coo/n-cds的uv-visdrs分析结果表明,在400-550nm范围内都有一强吸收带,属于cds在可见光区的特征吸收.用光催化降解甲基橙测试了光催化性能,结果表明,p-coo/n-cds光催化活性是cds光催化活性的2.2倍左右.光腐蚀测试结果表明,cds的光腐蚀速率是p-coo/n-cds中cds光腐蚀速率的2倍以上,说明coo与cds复合对cds的光腐蚀具有明显的抑制作用.
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