wo3在不同担体上的程序升温硫化研究

利用tps（temperature-programmed-sulfiding）方法考察了wo_3在γ－al_1o_3tio_2－al_2o_3及活性碳上的硫化过程．结果发现，随着wo_3担载量的增加，表面w物种硫化峰的数目增加，表明wo_3的担载量超过一定量后，在这三种担体表面，都有几种w物种同时存在；wo_3／tio_2－al_2o_3与wo_3／al_2o_3相比，当wo_3担载量低于一个单层分布时，硫化温度明显降低，而超过一个单层分布后，两者的硫化温度相接近，表明tio_2的调变作用对低于一个单层分布的wo_3的硫化行为有较大的影响．以活性碳作为担体可明显降低w物种的硫化温度，并且活性碳在程序升温过程中，当温度超过700k后出现了气化现象．文中还就wo_3在tio_2－al_2o_3担体表面的结构模型提出了设想．