利用pd催化合成单晶gan纳米线的光学特性

基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在si(111)衬底上沉积pd:ga2o3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量gan纳米线.采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)、透射电子显微镜(tem)和高分辨透射电子显微镜(hrtem)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶gan纳米线,直径在20-60nm范围内,长度为几十微米,表面光滑无杂质,结晶质量较高.用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试,分别在361.1、388.6和426.3nm处出现三个发光峰,且与gan体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移.对gan纳米线的生长机制也进行了简单的讨论.