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ISSN: 2333-9721
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无膦方法合成高质量cdse纳米晶及其光学性质

Keywords: 无膦合成,半导体纳米晶,cdse,光学性质

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以合成的十碳酸镉作为cd前驱体,十八烯作为单质硒溶剂,并添加十八胺作为活性剂,在无三丁基膦或三辛基膦参与的条件下,以较低温度制备了具有闪锌矿结构的高质量的cdse纳米晶.利用吸收光谱、荧光光谱(pl)、x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)对不同反应时间得到的cdse纳米晶进行形貌和光谱性质表征.实验结果表明,采用该无膦法只需调控反应时间就可得到粒径均一、分散性好的cdse纳米晶,其荧光波长可覆盖470-630nm的可见光区,而荧光峰半高宽则始终保持在24-30nm之间并具有较高的荧光量子产率(535nm处大于60%).最后,对cdse纳米晶量子产率随反应时间变化的原因进行了分析.

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