tio2-moo3复合纳米管阵列薄膜的制备及其可见光活性

通过阳极氧化的方法制备tio2纳米管薄膜,在moo3存在的条件下对该薄膜进行热处理得到tio2-moo3复合纳米管阵列薄膜.利用x射线衍射(xrd),扫描电子显微镜(sem),x射线光电子能谱(xps),电化学阻抗谱(eis),mott-schottky及光电化学方法对得到的薄膜进行了表征.xrd结果表明,tio2-moo3复合纳米管薄膜中的tio2主要为锐钛矿晶型.sem实验证实了薄膜纳米管结构的存在,样品中的moo3均匀地分散在tio2纳米管表面.利用xps方法分析了tio2-moo3复合纳米管薄膜元素的组成,结果表明,moo3在tio2表面形成tio2-moo3复合纳米管薄膜.研究了热处理温度以及热处理时间对样品的光电化学性能的影响,相对于单纯tio2纳米管薄膜,适量引入moo3提高了样品在可见光区的光电响应能力,样品的平带电位负移.在450°c热处理60min制得的tio2-moo3复合半导体纳米管阵列薄膜光电响应活性最高.