ito导电玻璃表面直接电沉积au的机理

用循环伏安和电位阶跃法研究au在氧化铟锡(ito)透明导电膜玻璃表面的电沉积过程的初期阶段.发现在ito表面au的电沉积经历成核过程以及受[aucl4]-扩散控制的晶核生长过程.通过改变扫描速率分析循环伏安曲线的变化,当扫描速率较快时,发现au在ito表面的沉积过程经历[aucl4]-→[aucl2]-→au两步进行;当扫描速率较慢时,受歧化反应作用影响而只表现为一步沉积[aucl4]-→au.通过电位阶跃实验,验证了au的两步沉积过程,并求得[aucl4]-的扩散系数为1.3×10-5cm2·s-1.将成核曲线与理论曲线对照,得出au在ito表面的沉积符合瞬时成核理论.通过场发射扫描电镜(fe-sem)对au核形貌进行分析,根据扫描电镜图可以得到阶跃时间和阶跃电位对电沉积au的形貌的影响.