硫化氧化两步法提高(110)取向zno纳米片比表面及其光电极应用

以硫代乙酰胺为硫源,通过一种较温和的溶剂热法先将生长于氟掺杂的sno2(fto)导电玻璃上的zno纳米片硫化,再将其在空气中高温焙烧氧化,利用zno/zns晶格的膨胀收缩效应使zno纳米片表面粗糙化,达到提高其比表面积的目的.系统研究了该硫化氧化两步法中zno纳米片、硫化后的zns纳米片、硫化氧化后的zno纳米片薄膜的形貌、物相、比表面积及孔径分布的变化.并将硫化氧化前后两种zno纳米片阵列薄膜制成染料敏化太阳电池的光电极,分别对电池的电流密度-电压(j-v)特性进行了表征.实验结果表明,经过硫化氧化后的zno纳米片的比表面积大约是未经该处理的zno纳米片的2倍,同时前者的太阳电池光电转换效率(ipce)相对于后者提高33%.