电化学法制备部分还原氧化石墨烯薄膜及其光电性能

提供了一种快速制备氧化石墨烯(go)薄膜的方法,并通过调节go薄膜的含氧量来调控其能级结构.采用阳极电泳及阴极电化学还原联用的方法在f掺杂sno2(fto)导电玻璃上制备出不同层数及含氧量的go薄膜,并通过扫描电镜(sem)、x射线衍射(xrd)、紫外可见(uv-vis)光谱、x射线光电子能谱(xps)、拉曼光谱及电化学分析对样品进行表征.用20-350s不同时间电泳沉积得到层数约为77-570层的go薄膜.经过不同时间阴极还原的go薄膜的禁带宽度为1.0-2.7ev,其导带位置及费米能级也随之改变.go作为p型半导体,与fto导电膜之间会形成p-n结,在光强为100mw·cm-2的模拟太阳光照射下,电泳300s且电化学还原120s时go薄膜阳极光电流密度达到5.25×10-8a·cm-2.