硫氰酸银钾复合薄膜的制备及其电存储特性

采用真空热蒸镀法在银电极上蒸镀硫氰酸钾薄膜,并通过界面反应在银电极表面上形成agk2(scn)3复合薄膜.采用可见光谱、x射线光电子能谱(xps)、激光拉曼光谱和x射线多晶衍射谱(xrd)对薄膜进行表征.研究发现,al/agk2(scn)3/ag器件具有稳定的可逆电双稳特性,高、低电阻状态的电阻比高达106,并能实现连续“写-读-擦-读”操作.器件的可逆擦写特性归因于外电场作用下agk2(scn)3复合介质层内导电通道的形成-断裂;电流-电压曲线拟合显示,低电阻状态符合欧姆传输,而高电阻状态表现出空间电荷限制电流传输模式.在导电通道断裂的过程中,电离作用和焦耳热效应会共同起作用.