zns:co半导体量子点的制备及其光电化学性质

采用低温水热技术,分别以柠檬酸(ca)和巯基丙酸(mpa)为稳定剂,在70℃的水相中合成了单分散的,粒子尺寸约为4nm的zns:co半导体量子点.研究了稳定剂、co2+掺杂剂及其掺杂量对掺杂量子点发光性能和结构的影响.xrd结果表明,co2+离子主要掺杂在量子点表面,对主体zns晶格没有影响.当采用mpa为稳定剂,掺杂量为5%(摩尔分数)时,掺杂量子点的荧光发射强度最高;而同样掺杂量下采用ca为稳定剂时,量子点的荧光发射强度有所下降.循环伏安研究显示,与空白zns量子点相比,co2+离子的掺杂在zns的禁带中形成杂质能级,相应地,zns:co量子点的吸收边发生红移.与未掺杂zns量子点相比,掺杂量子点具有较少的表面非辐射复合中心,因而荧光发射强度显著提高.