mgo掺杂ce0.9sm0.1o2-δ固体电解质的结构和电性能

采用溶胶-凝胶法合成sio2含量为5.0×10-4(w)的ce0.9sm0.1o2-δ(sdc)粉体(sdcsi),并将0-3.0%(x)mgo分别加入到sdcsi陶瓷粉体中,用x射线衍射(xrd)和场发射扫描电子显微镜(fe-sem)对材料进行表征,用交流阻抗谱(ac)测试材料的电性能.结果表明:mgo掺杂能使sdcsi的烧结温度降低100-200℃,提高陶瓷材料的致密度;清除或降低陶瓷材料晶界处sio2杂质的有害影响,显著提高晶粒/晶界电导率和总电率;mgo掺杂到sdcsi具有烧结助剂和晶界杂质清除剂的双重作用.