检测痕量hg2+的dna电化学生物传感器

通过自组装方法将修饰有二茂铁基团的富t序列dna分子(dna-fc)固定在金电极表面,得到了一种基于dna修饰电极的电化学汞离子(hg2+)传感器.当溶液中有hg2+存在时,hg2+可与修饰电极上dna的t碱基发生较强的特异结合,形成t-hg2+-t发卡结构,使dna分子构象发生改变,其末端具有电化学活性的二茂铁基团远离电极表面,电化学响应随之发生变化.示差脉冲伏安法(dpv)结果显示:dna末端二茂铁基团的还原峰在0.26v(vs饱和甘汞电极(sce))附近,峰电流随溶液中hg2+浓度的增加而降低;hg2+浓度范围在0.1nmol·l-1-1μmol·l-1时,电流相对变化率与hg2+浓度的对数呈现良好的线性关系.该修饰电极对hg2+的检测限为0.1nmol·l-1,可作为痕量hg2+检测的电化学生物传感器.干扰实验也表明,该传感器对hg2+具有良好的特异性与灵敏度.