阳极氧化铝模板法可控制备金属纳米线和纳米管阵列的生长机制

利用阳极氧化铝模板(aao)进行ni的电化学沉积,通过在溶液中引入螯合剂控制电解质的有效浓度和电沉积的过电位,实现了ni纳米线和纳米管阵列的可控制备.通过分析电沉积过程中纳米线和纳米管在不同位置生长速率(侧壁(vw)和底端(vb))的控制因素,我们提出了纳米线和纳米管生长的可能机制.当电解质浓度高而还原电位更负(如-1.5v)时,或者当电解质浓度低而还原电位较负(如-0.5v)时,vw>vb,可以获得ni纳米管阵列;当电解质浓度高而还原电位较负(如-0.5v)时,或者当电解质浓度低而还原电位更负(如-1.5v)时,vw≈vb,可以获得ni纳米线阵列.这种生长机制适用于多种金属纳米管或者纳米线阵列的可控制备.