沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的sinx:h薄膜特性的影响

利用centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(pecvd)设备在p型抛光硅片表面沉积sinx:h薄膜,研究沉积温度对sinx:h薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响.然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池,研究不同温度制备的薄膜对电池电性能的影响.测试结果表明:sinx:h薄膜的折射率随着沉积温度的升高而变大,分布在1.926-2.231之间,这表明si/n摩尔比随着沉积温度的增加而增加;当沉积温度增加时,薄膜中si－h键和n－h键浓度呈现减小趋势,而si－n键浓度逐渐升高,薄膜致密度增加;随着沉积温度的升高,sinx:h薄膜中的氢析出导致了钝化硅片的有效少子寿命先升高后降低,并且有效少子寿命出现明显的时间衰减特性.当沉积温度为450°c时,薄膜具有最优的减反射和表面钝化效果.采用不同温度pecvd制备的5组电池的电性能测试结果也验证了这一结果.