v₂o₅/ac捕获的hg在再生过程中的释放行为研究

？研究了v2o5/ac捕获的hg在再生和程序升温脱附（tpd）过程中的释放行为,考察了再生后v2o5/ac对hg0的捕获能力。结果表明,热再生（ar,400℃）或nh3再生（nh3/ar,300℃）过程会使v2o5/ac捕获的大部分hg重新释放,释放率分别为81%和94%。由于ac的还原作用,再生过程中释放的hg以hg0的形式为主。tpd结果表明,v2o5/ac捕获的hg在ar和nh3/ar气氛下的释放行为明显不同。气氛中nh3对hg的释放具有明显的促进作用,使hg的释放在300℃前基本结束。但在ar气氛下,hg在400℃后仍有释放,致使热再生时hg的释放率低于nh3再生时的释放率。但当nh3的体积分数由1%增加到5%时,汞的释放率变化很小。温度足够高时,两种气氛下hg的释放率趋于一致。再生方法对v2o5/ac二次捕获hg0的能力影响不大,两种气氛下再生后的v2o5/ac对hg0的捕获能力差别很小,较新鲜v2o5/ac对hg0的捕获能力有所降低,但仍高于载体ac对hg0的捕获能力.