si基sc膜的制备及结构分析

？采用电子束镀膜方法在si基底上制备了sc膜，利用xrd,sem分析了不同镀膜工艺条件下制备的sc膜的形貌和结构。结果表明：基底温度在350～550℃时，薄膜主要由单质sc组成，而且随着基底温度的升高，膜的颗粒尺寸增大，膜也变得更加致密；基底温度提高至650℃时，膜全部由scsi化合物组成，膜变成颗粒状结构。沉积速率对低温时sc膜的形貌与结构的影响不明显，颗粒尺寸随沉积速率的增大而增大，但物相结构基本没有发生变化；而在高温650℃时，沉积速率对膜的形貌与结构产生了很大的影响，随着沉积速率的增大，膜表面出现了大量微裂纹，而且较低的沉积速率有利于获得衍射峰单一的膜，增大沉积速率将会导致衍射峰数量明显增加。