退火温度对kdp晶体光学均匀性的影响研究

？研究了磷酸二氢钾（kdp）晶体热退火前后光学均匀性的变化，发现适当温度下退火可以降低kdp晶体的内应力，提高晶体的消光比，从而提高晶体的光学均匀性。实验证明，50℃下退火即可消除部分内应力，110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高（如170℃）,也可能使晶体的均匀性降低。