具有二氧化硅温度补偿层的薄膜体声波谐振器的建模与分析（英）

？薄膜体声波谐振器(fbar)的谐振频率会受到外界环境温度的影响而产生漂移,对于fbar滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性。应用ansys有限元分析软件,对一个典型mo-aln-mo三层结构的fbar进行了温度-频率漂移特性的仿真,得到其在［－50℃,150℃］温度范围内的频率温度系数(tcf)约为－35×10－6/℃。在fbar叠层薄膜结构中添加了一层具有正温度系数的二氧化硅温度补偿层,分析了该补偿层厚度对fbar的温度-频率漂移特性、谐振频率和机电耦合特性的影响。设计了具有一层二氧化硅温度补偿层的fbar叠层,由mo/aln/sio2/mo多层薄膜构成,仿真得到其频率温度系数为0.872×10－6/℃；与没有温度补偿层的fbar相比,温度稳定性得以显著改善。关键词:？？？abstract:keywords:？