高频电容器充电电源绝缘栅双极晶体管吸收电路

？高频化是提升电源功率密度的有效方法。为了保护高频电容器充电电源中的开关器件，以串联谐振式电容器充电电源为基础,研究了绝缘栅双极晶体管(igbt)尖峰电压的产生机理及影响因素。介绍了几种抑制尖峰电压的方法，着重分析了igbt吸收电路的基本原理,并进行了参数设计。结合仿真软件,对吸收电路的参数进行了优化，将仿真结果和40kw,50khz电容器充电电源样机的实验结果进行对比，验证了提出方案的可行性。