基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

？以高速mosfet器件为基础，对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究。采用多路并联的高速mosfet与感应叠加相结合的形式，得到脉冲半宽度为300ns、上升时间约为60ns、时间间隔600ns的超快方波双脉冲；在负载电阻为11.5ω时，可以产生365a的脉冲峰值电流，并且能够提供1.5mw的峰值输出功率。