单光子计数型ccd的蒙特卡罗模拟

？建立了适用于研究pi-lcx：1300型单光子计数型ccd量子效率及多像素事件的蒙特卡罗模拟模型，采用蒙特卡罗程序geant4对0.5~30.0kev能量区间的x射线在ccd芯片中的输运进行了模拟研究。研究了x射线在ccd芯片中的能量沉积谱，给出了ccd探测x射线的效率曲线，其结果与厂家提供的效率曲线一致。研究了si片厚度对探测效率的影响，结果表明在有效探测范围内，si片越厚探测效率越高，而对较高能量的x射线，此趋势不明显。研究了能量沉积分布在多个像素中的问题，结果表明周围像素中的能量沉积主要由中心像素的特征x射线及瑞利散射x射线所贡献，在5~30kev之间x射线能量越高，能量沉积效率越低，多像素污染效果越弱。