介电层粗糙对电容式rfmems开关down态电容退化的影响

？电容式rfmems开关在控制高功率射频信号时会发生自锁失效，由于开关桥膜与介电层之间的粗糙接触，开关的down态电容会发生退化，因此很难建立开关自锁失效阈值功率的高保真预测模型。提出了3d电磁-等效电路仿真对比建模的方法。建立开关的3d电磁仿真模型，仿真得到具有任一表面粗糙度水平的介电层粗糙开关的隔离度(s21)曲线；再建立同一开关的等效电路模型，通过调谐其down态电容值，使得仿真得到的s21曲线与3d电磁模型仿真结果尽可能吻合；此时，可以确定一组根据开关3d电磁仿真模型设定的表面粗糙度水平与等效电路模型调谐好的down态电容值的关系；改变开关介电层的表面粗糙度水平，并重复上述步骤，确定了任一开关的介电层表面粗糙度与开关down态电容退化的关系。采用文献的down态电容实测数据，初步验证了该方法的可行性和合理性。并利用所得的开关down态电容随介电层表面粗糙度退化的特性，对简化的(介电层光滑)开关自锁失效阈值功率解析计算式进行了修订，可扩展用于预测介电层粗糙开关的功率容量。