金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究

？实验中制备了w-re，w-sc，w-zr，w-y合金阴极，其中re，sc，zr，y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5%。二次电子发射系数测试结果显示，re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著，掺杂5%re的w-re合金阴极材料具有最大二次电子发射系数，其值为1.8，相比于纯钨阴极，能够提高80%。鉴于re对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著，对re掺杂质量分数分别为20%，10%，6%，5%，4%，3%w-re合金阴极材料二次电子发射系数进行了研究，发现随着re在w-re合金阴极材料中含量的降低，其二次电子发射系数在不断增大，仅当re含量下降至5%左右时，合金阴极具有最大二次电子发射系数，继续下降至4%，合金阴极二次电子发射系数不但没有升高，相反下降至1.41，当下降至3%时，合金阴极二次电子发射系数值迅速降低为1.1。