高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应

？采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波（hpm）作用下金属氧化物半导体场效应管（mosfet）的响应进行了数值模拟研究。对mosfet在hpm作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明，在mosfet栅极加载hpm后，随着注入hpm幅值的增大，会使得器件的正向电压小于开启电压，从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部，导电沟道靠近源极一端的电场强度最大，热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时，温度峰值位于沟道源极一端，负半周期时，器件内部几乎没有电流，器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。