光电耦合器的反应堆中子辐射效应

？选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验，中子注量为3×1011~5×1012cm-2时，位移效应导致电流传输比下降，饱和压降提高。发光器件相同,探测器为sipin光电二极管的光电耦合器比探测器为sinpn光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小，但其抗位移损伤能力更强。探测器均为sinpn光敏晶体管，发光器件为异质结led要比硅两性掺杂led的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级；以光敏晶体管为探测器的光电耦合器，在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外，光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。