静态单粒子翻转截面的获取及分类

？为了评估静态随机访问存储器(sram)型现场可编程门阵列(fpga)器件的单粒子效应，寻求单粒子翻转敏感部位，以xcv300pq240为实验样品，利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面，并根据配置存储单元用途的不同，对翻转数据进行了分类。结果表明：sram型fpga的内部存储单元对单粒子翻转效应十分敏感；配置存储器翻转主要由查找表(lut)及互连线资控制位造成，这两者的翻转占总翻转数的97.46%；配置存储器中各类资源的单粒子翻转(seu)敏感性并不一致，输入输出端口(iob)控制位和lut的单粒子翻转的敏感性远高于其它几类资源，但lut在配置存储器中占有很大比例，在加固时应予以重点考虑。