衰减瓷对同轴磁控管起振过程的影响

？通过建立x波段同轴磁控管模型，对起振过程进行pic模拟，结果表明：当衰减瓷损耗角正切大于0.010时，起振过程中可能受干扰模影响，但均能正常工作；当选用损耗角正切为0.001或不具有衰减性能的材料时，磁控管可能无法正常工作。因此同轴磁控管中需要选用损耗角正切大于0.010的电介质材料。进一步对该磁控管进行冷态微波特性模拟研究，重点分析了磁控管主模、n/2-1干扰模在不同参数衰减瓷下的品质因数，模拟结果表明衰减瓷位置合理，当损耗角正切大于0.010时，对n/2-1模的吸收效果明显改善，验证了pic模拟的结论。