fe₃o₄/mgo(100)薄膜外场诱导电阻变化特性

？采用激光分子束外延（l-mbe）方法，以mgo(100)为基底生长了fe-3o4单晶薄膜,研究了fe-3o4/mgo(100)薄膜外场（温度、磁和激光场）诱导电阻变化特性。x射线衍射(xrd)分析表明fe-3o4薄膜是沿mgo(200)晶面外延生长的单晶薄膜；反射高能电子衍射（rheed）强度振荡曲线分析表明fe-3o4薄膜表面平整，而且生长模式为2维层状生长；原子力显微镜（afm）分析表明fe-3o4薄膜表面粗糙度为0.201nm，说明薄膜表面达到原子级平整度。外场作用下fe-3o4薄膜的电阻测试表明：薄膜样品的电阻在120k(verwey转变温度)出现一峰值，略微下降后继续增大,？展现出半导体型的导电特性;在激光作用下，整个测量温度范围内薄膜样品的电阻减小，样品展示出瞬间光电导的特性；从降温曲线可以看出,verwey转变温度由无激光作用时的120k上升到有激光作用时的140k;光致电阻变化率随着温度的降低而增大，这主要是由于激光作用导致电荷有序态的退局域化。