同位素分子对高次谐波产率的影响

？利用含时波包加上傅里叶变换方法研究强激光场中不同同位素分子对高次谐波产率的影响。运用电子与核运动的相干量子力学方法得到了电离电子与正离子的碰撞几率。通过对三种同位素分子h2,d2和t2的碰撞几率分布的对比，发现在前三个光周期内电离电子会多次返回与正离子发生碰撞，但是对应不同同位素分子的碰撞几率的最大值都出现在第一个光周期中。在后两个光周期内三种分子的碰撞几率分布表明较重同位素分子t2对应的碰撞几率最大。通过对三种同位素分子电离率的计算发现同位素分子中较重分子的电离率较高，而电离率越大高次谐波产率越大。因此，在同等条件下，重同位素分子对应较高的高次谐波产率。