界面势垒对碳纳米管场发射特性的影响

？以界面势垒对碳纳米管(cnt)场发射的影响为研究目的，在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层，以二氧化硅层作为绝缘势垒，然后在二氧化硅界面层上直接生长cnt，来研究二氧化硅绝缘势垒层对cnt场发射的影响。场发射结果为：fowler-nordheim(f-n)曲线分为两部分,高电场下偏离f-n曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上，从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同，理论上分析了界面势垒对场发射的影响：低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率，界面势垒对场发射不起阻碍作用，场发射遵守f-n规律；高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率，场发射偏离f-n规律。理论对实验结果进行了合理的解释。