低噪声放大器有意电磁干扰效应

？低噪声放大器(lna)是高功率微波“前门”效应典型薄弱器件之一。通过spice效应电路建模、模拟计算和注入实验，研究了lna在不同微波脉宽、功率参数下其增益压制效应规律。模拟结果与实验数据获得良好一致，表明基于spice电路模型微波效应研究方法的有效性。研究表明，lna增益压制脉宽随注入微波脉冲脉宽的增大具有饱和效应，该饱和值基本等于lna直流偏置电路rc时间常数，并且出现饱和现象对应注入微波脉宽拐点约为150~250ns。最后，给出了lna微波脉冲效应定性物理解释和机理探讨。