磁控溅射制备的w，wsi²,si单层膜和w/si,wsi²/si多层膜应力

？采用直流磁控溅射技术制备了厚度约100nm的w,wsi2,si单层膜和周期约为20nm，si膜层厚度与周期的比值为0.5的w/si,wsi2/si周期多层膜。利用台阶仪对镀膜前后基底表面的面形进行了测试，计算并比较了不同膜系的应力值。结果表明：w单层膜表现出较大的压应力，而w/si周期膜则表现为张应力。wsi2单层膜和wsi2/si周期多层膜均表现为压应力，没有应力突变，应力特性最为稳定。因此，wsi2/si材料组合是研制大膜对数x射线多层膜较好的材料组合。